APEC: SiC қуаты және жетілдірілген бұлттық электр құралдары

Іздеу мүмкіндіктері жетілдірілді және үйлесімді құрылғылар мен тақталарды таңдауға мүмкіндік беретін карусель стиліндегі мәзір бар, дейді фирма: «Инженерлер өміршең компоненттер мен жүйелік шешімдерге арналған опцияларды қысқарта алады және жұмысқа кіріспес бұрын жүйенің өнімділігіне сенімді бола алады. аппараттық құралдарды іздеу және олардың дизайнын аяқтау »

APEC-тегі демонстрацияларға Mosfet Onh ​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 В, >30А, ~80 мОм, TO247) айналасында салынған 11 кВ (100 кГц) үш фазалы кремний карбиді (SiC) PFC (қуат факторын түзету) демонстраторы кіреді. NCP51705 қақпасының драйвері - ол SiC Mosfet өшіретін теріс ығысу жасау үшін зарядтау сорғысын қамтиды.

Еденде eFuse

Сондай-ақ, дисплейде eFuse, өнеркәсіптік автоматтандыруға арналған «интеллектуалды пассивті сенсорлар», жоғары тығыздықтағы USB-PD (қуат жеткізу) шешімі, белсенді қысқыш кері байланыс контуры және қозғалтқыш драйверінің қуат модульдері көрсетіледі.

Strata-ны ілгерілету үшін «Бір құралдар жинағындағы барлық қажетті құралдармен қысым астында дизайнердің сұраныстар тізімін қанағаттандыру» деген өршіл тақырыппен қағаз ұсынылады (19 наурыз, 13:30, 303AB бөлмесі).

Тағы бір презентация: «Сипаттамалар, сенімділік және қазіргі заманғы нәтиже